追击来到眼前!韩媒:中国也量产尖端DRAM DDR5(组图)
韩国朝鲜日报报导,据传中国长鑫存储开始量产三星电子与SK海力士的主力产品:尖端DRAM DDR5。在上一代DDR4 DRAM中,中国花了6年追赶韩国,如今中国在韩厂推出DDR5仅4年后便开始量产该尖端记忆体,显示在韩国主力的记忆体领域上,中国的追赶速度加快。
传中国长鑫存储开始量产尖端DRAM DDR5。(撷取自长鑫存储官网)
报导说,韩厂在成熟制程的记忆体领域被中国迎头赶上后,如今尖端领域又面临中国来势汹汹的挑战,半导体业界人士说,「如果继成熟型DRAM之后,长鑫存储又对尖端DRAM展开低价攻势,将对三星电子和SK海力士构成巨大威胁。韩国企业难以避免在中国市场遭受打击」。
报导指出,本月17日,中国记忆体设备制造商金百达科技(KingBank)与光威(Gloway)同时推出了32GB容量的DDR5 DRAM。这两家公司从记忆体公司购买DRAM,进行插入个人电脑或伺服器的组装。这两家公司在广告中皆写有「国产芯片(晶片)、势不可挡」的宣传,表示这是「加入中国产DDR5芯片的DRAM」。
虽然这两家公司没有公开DRAM的制造商,但从产品说明来看,晶片制造商是长鑫存储。业界人士透露,「据我们所知,长鑫最近开始生产DDR5,正与客户接洽。他们自己披露的良率在80%左右」。报导说,基于韩厂的良率为80%至90%,中国的制程技术已上升到相当高的水准。
DDR5 是2020年由SK海力士率先推出,其数据容量是上一代DDR4的4倍,数据处理速度是DDR4的2倍快,与高频宽记忆体(HBM)同被认为是AI时代的代表性记忆体。
不过有分析认为,长鑫存储的DDR5性能目前还低于三星与SK海力士,因韩厂在将极紫外光机(EUV)应用于DRAM制造时,更加细微的绘制电路,减少了电力消耗,增加了储存容量,但中国因受美国制裁,无法进口EUV,业界人士说,「我们推测长鑫是利用老设备生产DDR5,目前还没有进入量产阶段」。