中国声称晶片突破EUV关键技术（图）
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目前先进制程使用的是极紫外光微影（EUV）技术，荷兰的艾司摩尔（ASML）是行业巨擘，市场由ASML掌握，EUV曝光机更是先进制程必备神器。不过中国的哈尔滨工业大学（哈工大）近期宣布，成功研发出可提供13.5纳米极紫外光的技术，中国媒体认为，这部分解决了中国国产EUV曝光机制造中的光源问题，对于中国EUV光刻机曝光机的制造技术推进意义重大。
综合中国媒体报道，哈工大2024年年底发布新闻，指出该校航天学院赵永蓬教授的“放电等离子体极紫外光刻光源”，在黑龙江省高校与科研院所职工科技创新成果转化大赛中，获得一等奖。而该计划介绍中提到，这项技术可提供中心波长为13.5纳米的极紫外光。
晶圆示意图
报道更称，哈工大这次突破的是光源技术波长是13.5纳米，采用粒子加速辐射取得EUV光源，与ASML采用美国光源技术，还需要德国莱卡的透镜技术，才能取得EUV不同，认为哈工大的技术就是一种技术创新突破。
不过报道也称，若要生产EUV曝光机，不仅需要先进的极紫外光源技术，还需要物镜系统、双晶圆平台和控制系统等关键技术。而这4大技术组成了高端EUV曝光机的护城河，非常难超越和颠覆。
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