​三星前主管泄密中国！更审刑期加重改判6年，国家机密制程外流（图）

韩国半导体技术外流案出现重大转折！一名曾任职于三星电子的部长级员工，涉嫌将关键半导体制程技术外泄给中国企业，在最高法院发回更审后遭判更重刑责。法院最终认定其非法取得并使用公司营业机密，判处6年4个月徒刑与罚金2亿韩元，刑期比二审更重，凸显国家核心技术外流对产业竞争力的严重冲击。

根据韩媒《News1》，首尔高等法院刑事10-1部（法官为李相虎、李再新、李惠兰）于今（23）日针对此案进行更审宣判。曾任职于三星电子的金姓前部长被认定违反「产业技术外泄防止法」，须服刑6年4个月，另并科罚金2亿韩元（约新台币426万元）。

法院指出，被告以非法手段取得三星电子营业秘密，并在中国加以利用，其行为犯罪性质重大，对国家产业发展恐造成负面影响。

位于韩国京畿道平泽市的三星电子晶片生产工厂。（图／路透）

判决进一步强调，涉及国家核心技术的犯罪，可能使企业在DRAM（动态随机存取记忆体）研发与商业布局上投入的庞大时间与成本付诸流水，进而削弱整体产业竞争力。不过，法院仍维持部分产业技术外泄指控的无罪判决。

金姓前部长涉嫌将三星电子18奈米DRAM制程资讯，非法转交给中国半导体公司长鑫存储（CXMT）。此外，当该公司决定开发半导体沉积设备后，他们也被指控进一步外泄合作厂商A公司的先进设计技术资料。

检方认为，涉案人员早在2016年转职至长鑫存储时，便同步将核心技术带往中国，并收受高达数百亿韩元的不法利益，因此于2024年1月将其羁押起诉。除了主嫌外，半导体设备生产企业（合作厂商）前职员方某、金某等两名涉案人也在更审中，因部分原判无罪事项被改判有罪，分别被判处有期徒刑3个月、有期徒刑2个月和一年缓刑。

案件历经多次审理。一审多数认定有罪，判处主嫌7年徒刑；二审则认为其未直接参与核心技术外流，改判6年。不过，大法院（最高法院）指出，将技术资料上传至NAS伺服器并供共犯间共享的行为，仍可能构成侵害营业秘密，认定原判决在法律适用上有误，因而发回更审。